变压器变比测试仪利用试样在旋转时出现的带电荷与不带电荷的交替变换，给探头一个交变信号峰值、半衰期的测量放电电压和电晕放电时间，如果放电针是正极性的，电子将迅速朝放电针运动，同时正离子将从放电针被推向试样形成一个单极性的离子风，在连续放电30秒钟后，试样上所获得的电压就是被测织物所带的静电峰值电压，试验表明只有使用功率足够的测试仪，才能在30秒时间内提供稳定1万伏放电电压。
　　根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围。一般情况下，应先将峰值电压调至零，更改扫描电压范围时，也应先将峰值电压调至零。选择一定的功耗电阻，测试反向特性时，功耗电阻要选大一些，同时将X、Y偏转开关置于合适挡位。变压器变比测试仪测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
　　峰值电压：峰值电压可在0-10V、0-50V、0-100V、0-500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
　　功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
　　峰值电压范围：分0-10V/、0-50V/1A、0-100V/0.、0-500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。